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AOT1608L  与  IPP057N06N3 G  区别

型号 AOT1608L IPP057N06N3 G
唯样编号 A-AOT1608L A-IPP057N06N3 G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 56 -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.6mΩ@10V 4.7mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 68ns
Qg-栅极电荷 - 82nC
Qgd(nC) 21 -
栅极电压Vgs 20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 47S
Td(on)(ns) 18 -
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 140A 80A
工作温度 - -55°C~175°C
Ciss(pF) 3069 -
配置 - Single
长度 - 10mm
下降时间 - 9ns
Schottky Diode No -
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 40 -
Td(off)(ns) 47 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 333W 115W
Qrr(nC) 355 -
VGS(th) 3.7 -
典型关闭延迟时间 - 32ns
FET类型 N-Channel -
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
典型接通延迟时间 - 24ns
Coss(pF) 721 -
Qg*(nC) 69 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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